Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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コラム「セミコン業界最前線」を更新。「Micronが3D NANDの開発で浮遊ゲート技術から撤退へ」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


pc.watch.impress.co.jp

【福田昭のセミコン業界最前線】Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ - PC Watch


Micronはこれまで、Intelと3D NANDフラッシュを共同開発してきました。
共同開発は第3世代まで終了し、第4世代以降は各社が独自に判断していくことで合意済みです。

MicronとIntelは、Samsung東芝などと違い、3D NANDフラッシュのセルに浮遊ゲート技術を採用してきました。
ところが独自開発となる第4世代では、Micronは浮遊ゲートから撤退し、
Samsungなどと同じ電荷捕獲(チャージトラップ)技術を採用すると表明しました。
といってもFMSの講演の中でチラッとだけのお知らせです。


詳しくは記事をお読みいただけると、いろいろと分かります。記事には背景情報も入っておりますよー。