PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
5月17～20日にバーチャルカンファレンスとして開催された「国際メモリワークショップ（IMW 2020）」レポート続編です。
閉会挨拶と、Intelの3D NANDフラッシュメモリ技術に関するキーノート講演を紹介しています。
Intel-Micron連合は3D NANDフラッシュでもフローティングゲート技術（FG技術）をセルトランジスタに使い続けてきました。シリコンダイレイアウトでは、CuA（CMOS under the Array）と呼ぶCMOS周辺回路をメモリセルアレイの下にレイアウトする技術を開発し、シリコン面積を削減してきました。このあたりを説明しております。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
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3次元（3D ）NANDフラッシュメモリを支える技術 - こじくれワークス/ふくふく亭 - BOOTH
