Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

昨年(2018年)の本ブログを振り返る(9月と10月から)、QLC方式NANDフラッシュのSSDがニアラインHDDを侵食

昨年(2018年)に本ブログで何を書いてきたのかを振り返るシリーズ。その第5回です。

今回は9月と10月の振り返りとなります。

まずは9月です。
2018-09-01から1ヶ月間の記事一覧 - Electronics Pick-up by Akira Fukuda
9月は告知が多いです。

技術書の同人イベント「技術書典5」(10月8日に東京・池袋サンシャインシティで開催)の告知が9月12日に始まっています。
そして頒布物の予告が9月16日、22日、23日、24日、25日と続いております。


また不揮発性メモリに関する講演会「NVM Casual Talks」(10月10日夜に東京・大崎で開催)の告知を9月21日にしています。
自分がしゃべる講演会の告知は珍しいです。というか、恥ずかしい(爆)。
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署名記事のお知らせでは以下のようなものがありました。
9月10日にコラム「セミコン」で「2018年上半期の半導体ベンダー売上高ランキング」の解説記事を書いてます。市場調査会社のリリースが基になっています。

9月26日にコラム「セミコン」でDRAM大手3社の2018年上半期(1月~6月)の業績に関する分析をレポートしております。


続いて10月です。
2018-10-01から1ヶ月間の記事一覧 - Electronics Pick-up by Akira Fukuda
10月も告知が多いです。

同人イベント「技術書典5」関連では、セット販売の告知を10月2日、3日、6日にしています。
そしてこのイベントで頒布した冊子(技術書)の通信販売に関する告知を10月8日にしております。13日と14日にも追加の告知があります。
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署名記事のお知らせでは、以下のようなものがありました。
10月1日にコラム「セミコン」で、第4世代MRAM技術の解説記事を書いております。オンチップSRAMの代替に向け、STT-MRAM(第3世代MRAM技術)に比べて書き換え寿命を大幅に向上させようという試みです。

10月15日にコラム「セミコン」でMRAMを記録媒体に採用したSSDの解説記事を書いております。超高速で書き換え寿命の長いSSDを実現できるのが、MRAM内蔵SSDの圧倒的な強みです。ただし、MRAMはシリコンダイ当たりの記憶容量がこれまた圧倒的に不足しているという、致命的とも言える弱点があります。

10月23日にはコラム「セミコン」でQLC方式のNANDフラッシュメモリを搭載したSSDに関する動向をレポートしました。低コストを武器に、ニアラインHDDを侵食しようとしています。
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そして10月29日に、コラム「セミコン」でQLC方式のNANDフラッシュメモリを搭載したSSDの技術解説を書いております。シリコンダイのメモリセルアレイの一部をSLC方式のバッファ(キャッシュ)とすることで、SSDの速度を向上させる技術です。SSDの空き容量の増減に応じてSLC方式バッファの容量を増減させることで、性能をなるべく高く確保しようとしています。
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コラム「デバイス」は、シリコンフォトニクスのシリーズを連載中です。
そしてコラム「ストレージ」は、3D NANDフラッシュメモリの製造技術とスケーリングに関するシリーズを連載中です。


次回は11月と12月をまとめる予定です。
ここまでお読みくださいまして、ありがとうございました。