Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

東芝とSanDiskのフラッシュ開発・製造連合が3D NANDフラッシュのサンプル出荷を発表

3月26日は、Intel-Micron連合だけでなく、東芝-SanDisk連合も3D NANDフラッシュメモリのサンプル出荷開始を発表しました。東芝-SanDisk連合の発表に関する解説記事をPCWatch誌のコラム「セミコン業界最前線」に寄稿しております。


東芝-SanDisk連合の超高密度3D NANDフラッシュメモリ技術 」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150402_695964.html

サンプル出荷を始めたシリコンダイの記憶容量は128Gbitで、容量そのものは既存製品の最大容量品と同じです。384Gbitもの大容量をアナウンスしたIntel-Micron連合に比べると、地味めの発表となっています。


しかし油断がならない(?)のは、48層ものメモリセルアレイ層が積層されていること。競合他社が最大32層なので、1.5倍も層数が多い。潜在的な大容量化能力は、当然ながら、東芝-SanDisk連合が上になります。


この違いを解説しております。閲覧していただけるとうれしいです。


【追記】週間アクセスランキングで14位となりました。
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/accessranking/20150406_696373.html
これも皆さまのおかげです。ありがとうございます。