IEDM 2017のレポート続報をPC Watch様に掲載していただきました。
従来の2倍を超える記憶密度の3D NANDフラッシュ技術です。
台湾のMacronix Internationalが開発した技術で、TLC方式で192Gbitのシリコンダイを試作しています。シリコンダイ面積は76.5平方mmとかなり小さいです。ワード線の積層数が16層と少ないことが特徴です。
記憶密度（シリコン面積当たり）をSamsungおよびIntel-Micron連合の学会発表値と比べてみたのですが、同じワード線積層数だと2倍から3倍の密度があります。そして48層で1Tbitのシリコンダイを実現できるとMacronixは主張しています。
ただし講演と論文はMLC方式での評価が主体で、TLC方式の完成度はまだ低いことが分かります。
またMacronixは3D NANDフラッシュの製品実績がないのも、実用化に向けての懸念材料です。
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