Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

IEDMレポートのさらに続き。従来の2倍を超える記憶密度の3D NANDフラッシュ技術

IEDM 2017のレポート続報をPC Watch様に掲載していただきました。


pc.watch.impress.co.jp


従来の2倍を超える記憶密度の3D NANDフラッシュ技術です。

台湾のMacronix Internationalが開発した技術で、TLC方式で192Gbitのシリコンダイを試作しています。シリコンダイ面積は76.5平方mmとかなり小さいです。ワード線の積層数が16層と少ないことが特徴です。


記憶密度(シリコン面積当たり)をSamsungおよびIntel-Micron連合の学会発表値と比べてみたのですが、同じワード線積層数だと2倍から3倍の密度があります。そして48層で1Tbitのシリコンダイを実現できるとMacronixは主張しています。


ただし講演と論文はMLC方式での評価が主体で、TLC方式の完成度はまだ低いことが分かります。


またMacronixは3D NANDフラッシュの製品実績がないのも、実用化に向けての懸念材料です。