コラム「デバイス通信」を更新。「高融点金属の多層配線技術が2nm以降のCMOSを実現」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第22回となります。
前回から多層配線技術を解説しています。

eetimes.itmedia.co.jp

銅（Cu）配線の限界に備えた、次世代配線技術の有力候補を挙げています。

imecではルテニウム（Ru）が有力と考え、「セミダマシン」と呼ぶ技術を開発中です。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

プロセスインテグレーション (半導体デバイスシリーズ)

2010年発行。最近は古い本しか見つかりません。悲しい。