Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第23回となります。
前々回から次世代の多層配線技術を解説しています。3nm以降のCMOSロジック技術ノードに対応した技術となります。

eetimes.itmedia.co.jp


次世代の多層配線技術である、ルテニウム(Ru)金属を配線層とビア電極に使う技術を説明しています。
微細化ロードマップと配線層および絶縁層の進化を示しております。

微細化するにつれて配線層のアスペクト比(AR比)が上昇し、絶縁層は低誘電率絶縁膜(比誘電率では3.0前後)からエアギャップ(比誘電率は1.00)へと変化します。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。