EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第23回となります。
前々回から次世代の多層配線技術を解説しています。3nm以降のCMOSロジック技術ノードに対応した技術となります。
次世代の多層配線技術である、ルテニウム（Ru）金属を配線層とビア電極に使う技術を説明しています。
微細化ロードマップと配線層および絶縁層の進化を示しております。
微細化するにつれて配線層のアスペクト比（AR比）が上昇し、絶縁層は低誘電率絶縁膜（比誘電率では3.0前後）からエアギャップ（比誘電率は1.00）へと変化します。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
