EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
「デバイス通信（95）：「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術（後編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1610/24/news036.html
ロジック配線技術は金属配線と層間絶縁膜で構成されています。金属配線はアルミニウム配線から銅配線へと金属を換えることで抵抗値の低下とエレクトロマイグレーション耐性の向上を両立させました。しかし銅配線のエレクトロマイグレーション耐性が危うくなってきた今、銅よりも抵抗率の低い金属材料は銀しかありません。しかし銀はエレクトロマイグレーション耐性が話にならないくらい低いので、抵抗率の増加を許容しつつ、エレクトロマイグレーション耐性の高い材料を選択することになります。きついです。
層間絶縁膜の材料は、配線間容量を下げるために比誘電率の低い（low-k）有機高分子材料が選択の基本なのですが、2.4以下に比誘電率を下げるよう、要求がきています。こうなるともはや、材料がありません。するとどうなるか。詳しくは記事でどうぞ。
