出しました。
「2008 IRPSレポート【静電気対策編】半導体チップのESD耐圧を下げる」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2008/0501/irps02.htm
HBM（人体帯電モデル）の2kVパスがいよいよ辛くなってきたことが分かります。
そもそも今でもHBMを使っていることを疑問視する声もありますし。
でも代わりがないんですね。いろいろなモデルが過去に学会で提案されてきましたけど。
そもそも静電気保護回路って半導体の動作速度を低下させる方向に働くんです。ESD耐圧を高めようとすれば、なおさら遅くなります。この矛盾をなんとかするところに技術的な付加価値が生じるのですが。そうはいっても1kVパスのチップと2kVパスのチップでEOS/ESDの市場不良率が変わらないのでは・・・1kVで十分でしょう、と言いたくなるのも分かります。
あと関係ないんですが、会場を歩いていると、2006年のときよりずっと、日本人が増えたように感じます。講演の本数も日本企業が増えたようです。2006年のときは日本企業の発表が数えるほどしかなかったような。講演本数の違いは時間があったらチェックしようかなと思います。
