コラム「ストレージ通信」を更新しました。「ストレージクラスメモリの概要」

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。抵抗変化メメモリの開発動向に関する講演をご紹介するシリーズの第3回です。

「抵抗変化メモリの開発動向（3）：SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの概要」
http://eetimes.jp/ee/articles/1611/07/news049.html

まだ本論の抵抗変化メモリには入りません。代表的な応用と期待される、ストレージクラスメモリ（SCM）の位置付けと要求仕様を説明しております。