EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「抵抗変化メモリの開発動向（4）：SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性」
http://eetimes.jp/ee/articles/1611/09/news030.html
ストレージクラスメモリ（SCM）に対する信頼性要求を解説しております。
データの書き換え可能回数ではDRAM＞＞＞NANDフラッシュメモリ、でした。SCMが入るとDRAM＞SCM＞＞NANDフラッシュメモリ、といった辺りになります。
データ保持期間ではDRAM＜＜＜NANDフラッシュメモリ、でした。SCMの位置付けはDRAM＜＜SCM≦NANDフラッシュメモリ、といったところに。
もっとも、コスト次第でいろいろと変わる可能性はあります。
