Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新しました。「ストレージクラスメモリの信頼性要求」

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


「抵抗変化メモリの開発動向(4):SanDiskが語る、ストレージ・クラス・メモリの信頼性」
http://eetimes.jp/ee/articles/1611/09/news030.html


ストレージクラスメモリ(SCM)に対する信頼性要求を解説しております。

データの書き換え可能回数ではDRAM>>>NANDフラッシュメモリ、でした。SCMが入るとDRAM>SCM>>NANDフラッシュメモリ、といった辺りになります。


データ保持期間ではDRAM<<<NANDフラッシュメモリ、でした。SCMの位置付けはDRAM<<SCM≦NANDフラッシュメモリ、といったところに。


もっとも、コスト次第でいろいろと変わる可能性はあります。