ISSCC 2016プレビューの第3回です

ISSCC 2016プレビューの第3回がEETimes Japan誌に掲載されました。

「ISSCC 2016プレビュー（3）：シングルダイの記憶容量が100Gバイトに近づく半導体メモリ」
http://eetimes.jp/ee/articles/1512/25/news045.html

不揮発性メモリのセッションから、3D NAND技術の研究開発成果を主に紹介しております。