IEDM2015レポート第4弾「1個のトランジスタでSRAMを実現」

IEDM2015レポートの第4弾をPCWatch誌に掲載していただきました。

「SRAMの記憶密度を従来の5倍に高めるワントランジスタSRAMセル技術」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20151217_735749.html

1個のnMOSトランジスタの内部に2個の寄生バイポーラ・トランジスタを作り、双安定状態を実現することでデータを記憶するという原理です。