IEDM2015レポートの第4弾をPCWatch誌に掲載していただきました。 「SRAMの記憶密度を従来の5倍に高めるワントランジスタSRAMセル技術」 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20151217_735749.html 1個のnMOSトランジスタの内部に2個の寄生バ…