韓国Samsung Electronicsが、8個のシリコンチップ（ダイ）を積層したときに全体の厚みが0.6mmと非常に薄い半導体パッケージング技術を開発したと発表しました。
リリース：
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1063
3xnm技術の32Gbit NANDフラッシュメモリのダイを積層したパッケージで、パッケージ当たりの記憶容量は32Gバイトとなります。みかけ上はワンチップ32Gバイト。もの凄い容量です。
ハイエンド携帯電話機に代表される薄型の半導体パッケージを要求する機器を狙った技術です。
0.6mmを8で割ると0.075mmしかありません。たったの75ミクロンです。
ここから類推できるように、シリコンダイを凄く薄くしています。たったの15ミクロンです。
ここまで薄いとペラペラですぐに折り曲がってしまうのでパッケージングが難しいのですが、そこを克服して量産技術にもっていったとSamsungはリリースで述べています。
気になるのはダイ間の接続がシリコン貫通電極（TSV）なのかワイヤボンディングなのか、です。そこはリリースからは読み取れませんでした。残念です。
