IEDM2008レポートさらにまた続きます

「IEDM 2008 - IBMグループ、22nmプロセスによるSRAMセルを試作」
http://journal.mycom.co.jp/news/2008/12/22/024/index.html
リソグラフィ技術はArF液浸露光とダブルパターニング（二重露光と二重エッチング）の組み合わせです。ダブルパターニングの導入で22nmノードまで、ArF液浸露光が延命される可能性が出てきました。