PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。前回に続き、EUVリソグラフィがテーマです。
「高NA化で「3nm世代」の超高難度製造を狙うEUV露光技術」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1050712.html
EUV露光装置の開発動向を解説しております。将来を見ると、高NA化によって5nm世代のロジック、さらには3nm世代のロジックを解像しようという動きになっています。現在は、7nm世代のロジック量産に向けた最新世代のEUV露光装置の出荷が始まりつつあります。
7nmロジックの量産は、ArF液浸露光のマルチパターニングと、EUV露光の2つの技術が候補となっていますが、5nmロジックの量産は「EUV露光しかない」という方向に半導体製造業界は動きつつあります。EUV露光技術は、半導体の本格的な量産技術としてはまだ完成していません。完成時期が5nmロジックの登場時期を左右しそうです。
