Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

当ブログではアフィリエイト広告を利用しています

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「新世代のMRAM技術でオンチップキャッシュを再び狙う」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp


【福田昭のセミコン業界最前線】高速/長寿命でオンチップSRAMキャッシュの置き換えを目指す第4世代MRAM技術 - PC Watch


プロセッサのオンチップキャッシュでSRAMを置き換えるべく、研究開発が進められたスピン注入トルク型MRAM(STT-MRAM)でしたが、どうも無理らしいことが明らかになりました。


そこで、新しい原理に基づく新世代のMRAM技術の研究が始まっております。高速性と長寿命を両立させる技術です。
まだ基礎研究段階なので、将来は分かりません。

将来が分からないうちに、どんな技術かを解説しておくのが、技術ジャーナリストの使命(?)です。
というわけで、STT-MRAMに注目して研究したけれども、どうも無理っぽいことが分かってきた経緯を説明し。
それから挽回すべく考案された新しい原理のMRAM技術を解説しております。

お手すきのときにでも記事を眺めていただけると、MRAM研究開発の最新動向に追いつけます(爆)。追いつける、はず。たぶん。

楽天koboの電子書籍購入でトラブル発生(重複購入チェックが機能しなかった)→解決しました!!

楽天koboを含めた電子書籍購入サイトには、重複購入のチェック機能が標準装備されております。
自分は楽天koboを含めて4つほどの電子書籍購入サイトを普段使いしていますが、すべてのサイトがこの機能を実装しています。

ところが本日、重複購入のチェック機能が働かずに、重複購入してしまうというトラブルが発生しました。

問題の書籍は、コミック「ナポレオン 覇道進撃」の第14巻です。
あれ、購入してなかったかな、と思って購入ボタンをポチッと押してしまい。

後で購入履歴を確認したら、すでに購入していたという。

そしてダウンロードしてみたら、端末のフォルダがおかしい。
これまで複数巻を購入した「ナポレオン 覇道進撃」とは別に、フォルダが作られている。

こんな感じです(スクリーンショット
f:id:affiliate_with:20181002170821p:plain

上のフォルダが謎(?)の新規フォルダ。アイコンは当然ながら14巻。
下のフォルダがこれまで購入してきた巻のフォルダ。アイコンは11巻だと思われます。

とりあえず楽天Koboのオンライン相談窓口に問い合わせました。
どうなりますやら。


【追記】問い合わせ内容が理解できなかったようで。電子メールアドレスにクレーム内容の再説明依頼がきました。

なお、楽天ではこれが普通の対応です。そもそもこのような症状を一発で理解できる方がおかしいと思います。
だって重複注文なんて除外されると思っているもん。自分だって担当者だったら、そう思う。
「はあ? コイツ何いってんの? お前(自分のことです)がなんか変なことやらかしたんだろ、どうせ」くらいは思ってそう。普通に。

とりあえず上記の内容とフォルダ画像のスクショと注文番号(過去のやつと今回のやつ)を返信したので。
何かあったら追記します。

【追記の追記】
楽天kobo様から連絡が来まして。解決しました。
なんか内容を改訂したときにやらかしたもよう(個人による推測です)。

端末で同期かけたら正常に戻りました。
重複購入分のお金は後日に返金処理されるとのことです。

素早いご対応をありがとうございました。楽天様。

コラム「ストレージ通信」を更新。「3D NANDフラッシュのスケーリング(高密度化)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

eetimes.jp

2D NANDと3D NANDのスケーリング(高密度化)手法 - EE Times Japan


プレーナーNANDフラッシュ(2D NANDフラッシュ)と3D NANDフラッシュでスケーリング(高密度化)手法を比較しております。

プレーナーNANDのスケーリングは既存のスケーリング、すなわち微細化です。


しかし3D NANDフラッシュのスケーリングには、微細化がありません。基本的な手法は「高層化」です。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。光変調器を駆動するCMOS回路の試作例

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

シリコンフォトニクスのシリーズ解説、その24回です。想定外の長期シリーズ(苦笑)。

eetimes.jp


光変調器を駆動する高速CMOS回路の試作事例 (1/2) - EE Times Japan


光変調器を駆動するCMOS回路の試作例をご説明しております。
光変調器は、リング変調器です。残念ながらモノリシック集積とはなっておりません。
リング変調器のシリコンダイと、CMOS駆動回路のシリコンダイは別々であり、両者はボンディングワイヤによって電気接続されております。

そしてCMOS駆動回路は電源電圧が1.0V前後と低いにも関わらず、30Gbps~50GpsのNRZ符号で変調できています。
ちなみに製造技術は28nm世代です。

さり気なく書いてますが、電源電圧1.0Vで50Gbpで電気回路が動くって、これはかなりすごいことなのですよ。
というか、1990年代前半(おおよそ25年前)には想像もできなかった。そんな未来はたぶん、誰も信じない。当時は。
そもそも28nm技術とか信じないし。0.1μm(100nm)くらいまでしか想像できなかった。

でも、今では当たり前になっている。当たり前になると。もう、誰も驚かない。
半導体の世界ではこれがずっと、50年も繰り返されてる。
1MビットDRAMの開発が大ニュースとなった1980年代前半。
1GビットDRAMがもはやディスコン品となってしまった2010年代後半。
記憶容量の違いは1000倍。千倍。


すみません。話が変な方向に転がり始めたので、もうやめます。老人のたわごとになってます(爆)。


筆者としては記事を読んで頂ければ、うれしい。このひと言につきます。

それでは、また次回にお会いしましょう。