EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「 強誘電体メモリの再発見（19）：従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発（後編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/12/news023.html
ペロブスカイト系強誘電体を使ったFeFETに関する研究開発の進展を解説しております。研究を牽引したのは、日本の産業技術総合研究所（産総研）です。
2008年にはFeFETメモリで10の8乗回（1億回）のデータ書き換えを確認しました。
2011年には64kbitの不揮発性メモリをFeFETで試作しています。
詳しくは記事を眺めていただけるとうれしいです。
