EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「強誘電体メモリの再発見（18）：従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発（前編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/07/news025.html
強誘電体トランジスタの研究開発は、従来からの強誘電体材料によって進められてきました。圧電セラミックスのペロブスカイト系材料や、有機高分子のフッ化ビニリデン系材料などです。
しかし当初は、強誘電体トランジスタとしての特性はあまり良くありませんでした。最大の問題は、データの保持ができないことです。分極状態を維持できない。強誘電体膜と相性が良く、しかも、シリコン基板とも相性の良い絶縁膜材料がなかなか見つからなかったことが、大きな原因です。1990年代前半に研究開発が始まり、1カ月程度のデータ保持を実現できるようになったのは約10年後の2004年〜2005年のことでした。かなりの時間がかかっています。
詳しくは記事をお読みくださいませ。
