EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「抵抗変化メモリの開発動向（1）：SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史」
http://eetimes.jp/ee/articles/1610/28/news022.html
しれっと「前回」とか言ってますが、前回は8月2日付けです。3カ月近くも更新をさぼっていたことになります。うわー。ごめんなさい。
シリーズ初回ということもあって、過去を振り返っております。まあ、講演の始めの部分がそうだったからなのですが（苦笑）。最初の半導体不揮発性メモリがPROMだというのは知っていましたが、なんと1956年の発明とは。60年も前のことです。America Bosch Armaの研究者が考案したのですが、用途はミサイル（ICBM）システムのデジタル計算器でした。時代は冷戦の最中。米国がソ連との核ミサイルの開発競争に追われていたころです。
