EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「強誘電体メモリの再発見(9):強誘電体メモリ研究の歴史(後編)〜1990年代以降の強誘電体メモリ」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/01/news031.html
いったんは消えた、強誘電体メモリの研究開発。1980年代後半に、「PZT」という新材料を得て復活します。1990年代には小容量ながら、ついに強誘電体不揮発性メモリが製品化されます。
さらに、PZT対抗として当初は「Y1(ワイワン)」と呼ばれていた謎の新材料が登場します。Y1はその後にSBTであることが判明します。SBTも強誘電体不揮発性メモリとして製品化されました。
さらにまた、有機高分子の強誘電体フィルムを使った不揮発性メモリの研究が2000年代に始まります。その行方は。
詳しくは記事をご覧くださいませ。