米国ハワイ州ホノルルで半導体技術の国際学会「VLSIシンポジウム」が17日まで開催しております。現地レポートの第3号をPCWatch誌に掲載していただきました。
「相変化メモリ技術が大きく進化、書き換え電流を5分の1に低減」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1005771.html
相変化メモリ（PCM）の材料と言えばカルコゲナイド合金です。カルコゲナイド合金を熱処理の違いによって結晶状態（低抵抗状態）とアモルファス状態（高抵抗状態）のどちらかに制御することで、抵抗を大幅に変えます。抵抗値の違いを読み出すことでデータの値を読み出します。
PCMの弱点は加熱処理なので、書き込み時の消費電流がかなり大きいことです。IBMらのグループはカルコゲナイド合金の材料構造を大幅に変更することで、この弱点を克服しました。半導体の記憶素子としては、画期的な成果です。すでに256Mbitのシリコンダイを試作していることから、製品化への期待もかかります。
