Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

ISSCC2013中日レポート

ISSCC2013カンファレンス2日目(中日)の講演から、現地レポートをPCWatch様に掲載していただきました。


「32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20130221_588699.html


東芝SanDiskが共同研究成果として試作した32Gbitの抵抗変化メモリ(ReRAM)と、Micronが開発したTLC方式NANDフラッシュメモリの技術概要を紹介しております。


ISSCCのメモリセッションは5年くらい前はわりと空いているという印象だったのですが、今回のメモリセッション(セッション12の不揮発性メモリ)は超満員でした。質問の数がまたすごくて、時間切れで打ち切りになってしまいます。すごく活発です。NANDフラッシュメモリDRAMは微細化の限界がきていると言われていますが、むしろ課題が明確になっているほうが、課題解決の動きは活発になるのかも。日本の半導体産業は構造不況業種のような取り扱いですけれども、世界的には半導体産業はとっても元気なことが分かります。この差はなんなのでしょうか。考えさせられるものがあります。



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