ISSCC2013カンファレンス2日目（中日）の講演から、現地レポートをPCWatch様に掲載していただきました。
「32Gbitの大容量抵抗変化メモリと128Gbitの大容量NANDフラッシュ」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20130221_588699.html
東芝とSanDiskが共同研究成果として試作した32Gbitの抵抗変化メモリ（ReRAM）と、Micronが開発したTLC方式NANDフラッシュメモリの技術概要を紹介しております。
ISSCCのメモリセッションは5年くらい前はわりと空いているという印象だったのですが、今回のメモリセッション（セッション12の不揮発性メモリ）は超満員でした。質問の数がまたすごくて、時間切れで打ち切りになってしまいます。すごく活発です。NANDフラッシュメモリとDRAMは微細化の限界がきていると言われていますが、むしろ課題が明確になっているほうが、課題解決の動きは活発になるのかも。日本の半導体産業は構造不況業種のような取り扱いですけれども、世界的には半導体産業はとっても元気なことが分かります。この差はなんなのでしょうか。考えさせられるものがあります。
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