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PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
2021年で初めての更新となります。
マイクロコントローラ（マイコン）のコード格納用不揮発性メモリとして普及してきたフラッシュメモリが、微細化の限界に達しつつあります。
このため、次世代不揮発性メモリをマイコンのコード格納用メモリに適用する試みが活発になっています。
有力候補はMRAM（磁気抵抗メモリ）、それもスピン注入型のSTT-MRAMです。
一方でPCM（相変化メモリ）は高温に弱いことから、敬遠されてきました。
しかしマイコン大手のSTMicroelectronicsは高温に強いPCMを開発し、車載用マイコンに組み込んできました。
さらに、マイコン用PCMの高密度版を開発し、国際学会IEDMで開発技術の概要を発表しています。
そのあたりの経緯を解説しております。
蛇足ですが高密度版（セル面積縮小版）のセル選択素子に採用した縦型バイポーラというアイデア。
Numonix（STMicroelectronicsとIntelの合弁企業で、PCMを開発していました。その後にMicronに買収されています）が試作した1GbitのPCMに使われていたような気がします。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
参考書を探すと、相変化メモリを解説している日本語の本が全然ない。あちゃー。
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を久々に更新しました。
昨年（2020年）11月に開催されたフラッシュメモリサミット（FMS）からの新シリーズです。
市場調査アナリストと技術調査アナリストが講演した内容を紹介しています。
DRAM、NANDフラッシュメモリ、3DXPointメモリ（Optaneメモリ）などを取り上げています。
今回（初回）は、半導体メモリの市場調査アナリストとして知られるJim Handy氏の講演概要を報告しております。
DRAM市場とNANDフラッシュメモリ市場にCOVID-19（新型コロナウイルス感染症）がどのような影響を与えたか。
2020年10月までの現状報告です。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「オンチップ多層配線技術」の第18回です。シリーズの最終回となります。
前回に続いて3次元集積化技術を説明しています。今回はモノリシック成長させた3次元集積の事例です。
CMOSロジックを構成するnMOSとpMOSを、縦に積層する高密度化技術
GeトランジスタとSiトランジスタを縦に積層する高速化（高周波化）技術
多層配線工程に記憶素子を作り込む埋め込みメモリ技術
上記の3つを紹介しております。
お手すきのときにでも、ながめていただけるとうれしいです。
