VLSI 2020レポート「QualcommとSamsungが共同開発したSnapdragon 765の製造技術」

2020 VLSシンポジウムの講演レポートを、PC Watch様に掲載していただきました。

pc.watch.impress.co.jp

QualcommとSamsungが共同開発した5G対応ミッドレンジスマートフォン用
システムLSI「Snapdragon 765/G（SDM765/G）」の製造技術です。

EUV露光技術をリソグラフィに導入した7nm技術ノードという点に特長があります。
Samsungが主体となって開発したプロセス技術です。
トランジスタはFinFETの改良版（第5世代品）。埋め込みSRAMのセル面積は0.026平方ミクロンと小さい。
シリコンダイ面積は公表しませんでした。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

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