コラム「デバイス通信」を更新。「2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

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前回（
コラム「デバイス通信」を更新。「2種類の半導体を使って波長範囲を広げたフォトダイオード」 - Electronics Pick-up by Akira Fukuda
）に続いてSiとINGaAsを使った広帯域赤外フォトダイオードのレポートです。

薄くするための構造と、製造工程を説明しております。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。