EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「ストレージ通信（57） 強誘電体メモリの再発見（1）：強誘電体メモリが再び注目を集めている、その理由」
http://eetimes.jp/ee/articles/1706/29/news037.html
強誘電体不揮発性メモリの研究開発は、一時、沈静化していました。現在、PZT（チタン酸ジルコン酸鉛）を中心とする圧電セラミックス系強誘電体メモリが商用化されています。しかし圧電セラミックス系材料には、「薄くすると強誘電性を失う」という致命的な弱点があり、微細化が130nm前後で止まっていました。
しかし2011年に、極めて薄くしても強誘電性を維持する材料が発見されたことから、新材料に関する研究開発が活発化してきました。
ついには今年、国際学会のチュートリアルセッションで「強誘電体および新材料」がテーマに採用されるに至りました。そこでこのチュートリアルセッションの講演を引用しながら、強誘電体および新材料に関する解説を試みています。
日本語でのまともな解説は皆無に等しい状況ですので、少しは意義があると考えております。
