PCWatch様の特約で、現地レポートを掲載していただいております。
6日（火曜日）にはメインイベントの技術講演が始まりました。
「シリコン上に化合物レーザーと化合物FETを一体形成した光電子集積回路」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1063914.html
シリコン基板にモノリシック集積したGaAsレーザーとInGaAsトランジスタの両方が動くという、結構に画期的な成果です。温度20℃でレーザー発振を観測しています。やっとここまで来たか、と言いますか。感慨深いものがあります。
GaAsオンSi基板の技術解説を、だいぶ昔（1985年あるいは1986年かと）に、「日経マイクロデバイス」誌に沖電気工業（当時）の技術者からご寄稿いただいたような。記憶が間違っていなければ、ですが。あれから30年が過ぎたのですね・・・（遠い目）。
