Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

VLSIシンポジウム技術講演レポートが始まりました

PCWatch様の特約で、現地レポートを掲載していただいております。
6日(火曜日)にはメインイベントの技術講演が始まりました。


「シリコン上に化合物レーザーと化合物FETを一体形成した光電子集積回路
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1063914.html


シリコン基板にモノリシック集積したGaAsレーザーとInGaAsトランジスタの両方が動くという、結構に画期的な成果です。温度20℃でレーザー発振を観測しています。やっとここまで来たか、と言いますか。感慨深いものがあります。


GaAsオンSi基板の技術解説を、だいぶ昔(1985年あるいは1986年かと)に、「日経マイクロデバイス」誌に沖電気工業(当時)の技術者からご寄稿いただいたような。記憶が間違っていなければ、ですが。あれから30年が過ぎたのですね・・・(遠い目)。