コラム「ストレージ通信」を更新。「反強誘電体キャパシタの試作結果」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

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前回の続きです。反強誘電体を内部電界バイアスによって見かけ上、強誘電体に変換することの理論的な裏付けを前半で説明しております。後半は、反強誘電体キャパシタの試作結果です。不揮発性メモリとして利用可能な特性が得られたことの証明が実試作によってなされております。

詳しくは記事本文をご参照くださいませ。