VLSIシンポジウムのレポート第3弾をPCWatch様に掲載していただきました。
「究極の大容量化技術を駆使する抵抗変化メモリ」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20120626_542814.html
次世代不揮発性メモリの候補である「抵抗変化メモリ」に関する講演を取り上げました。クロスポイント型メモリによるマルチレイヤスタック、それからマルチレベルセルと、高密度化をさらに押し進める技術の開発成果を紹介しております。
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