Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

IEDM2008レポートまだありました


東芝SanDisk、30nmのFG型高密度フラッシュメモリセルを試作」
http://journal.mycom.co.jp/articles/2009/01/06/iedm2008-flashcell/index.html

フローティングゲート(FG)型セルでも30nmレベルまでいけそうという話題です。言い換えると、チャージトラップ(CT)型セルの出番がさらに遠のきそうだということです。


ただし今回の講演内容を見る限りは、メモリセルの完成度はまだあまり高くありません。セルアレイの試作結果を待ちたいと思います。