「東芝とSanDisk、30nmのFG型高密度フラッシュメモリセルを試作」
http://journal.mycom.co.jp/articles/2009/01/06/iedm2008-flashcell/index.html
フローティングゲート（FG）型セルでも30nmレベルまでいけそうという話題です。言い換えると、チャージトラップ（CT）型セルの出番がさらに遠のきそうだということです。
ただし今回の講演内容を見る限りは、メモリセルの完成度はまだあまり高くありません。セルアレイの試作結果を待ちたいと思います。
