IEDM 2011の中日が閉幕しました。現地レポートをPCWatch様に掲載していただいております。
「128Gbitチップを安価に提供するNANDフラッシュ技術」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20111208_496627.html
フローティングゲート技術を使う現行のNANDフラッシュメモリのメモリセル技術は20nm前後が限界だとされてきました。その限界を突破し、15nm前後のメモリセルを考案、試作してみせたのがHynix Semiconductorです。なかなか凄いことです。
えげつないのがIntelとMicronの共同開発陣営。同じ日に128Gbit NANDフラッシュメモリの報道機関向け発表をぶつけてくるとは。日本では7日に記者会見まで開催したようです。
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