2009-01-08から1日間の記事一覧
「東芝とSanDisk、30nmのFG型高密度フラッシュメモリセルを試作」 http://journal.mycom.co.jp/articles/2009/01/06/iedm2008-flashcell/index.htmlフローティングゲート(FG)型セルでも30nmレベルまでいけそうという話題です。言い換えると、チャージトラ…
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「東芝とSanDisk、30nmのFG型高密度フラッシュメモリセルを試作」 http://journal.mycom.co.jp/articles/2009/01/06/iedm2008-flashcell/index.htmlフローティングゲート(FG)型セルでも30nmレベルまでいけそうという話題です。言い換えると、チャージトラ…