Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2021-07-01から1ヶ月間の記事一覧

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の課題」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第16回となります。eetimes.itmedia.co.jp前回に続いてシーケンシャルCFETの製造プロセスを扱っています。 今回はトップ側の製造プロ…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第15回となります。 eetimes.itmedia.co.jp コンプリメンタリFET(CFET)の製造プロセスの続きです。 シーケンシャルCFETの課題(ウ…

コラム「セミコン業界最前線」を久々に更新。「キオクシアがNANDフラッシュで6ビット/セルの超多値記憶を確認」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。ここのところ、新しいコラムを開発しておりまして。コラム開発の膨大な時間がかかってしまい、「セミコン業界・・・」の記事に取りかかれずにおりました。pc.watch.impress.co.jp3D…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第14回となります。 eetimes.itmedia.co.jp CFETの製造プロセスを扱っております。最初はモノリシック構造です。 お手すきのときにで…

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第13回となります。 eetimes.itmedia.co.jp 次々世代のトランジスタ技術「CFET」の構造をまず説明しています。それから、作り方(製…

コラム「デバイス通信」を更新。「コンプリメンタリFET(CFET)でCMOS基本セルの高さを半分に減らす」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第12回となります。eetimes.itmedia.co.jp 前回に続き、CFETの講演部分です。2nm世代以降の候補となります。いやもっと先かも。考え…

コラム「デバイス通信」を更新。「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第11回となります。eetimes.itmedia.co.jp ついに3次元CMOSロジックの登場となりました。実用化は早くても2nm世代以降。 もちろん使…

コラム「デバイス通信」を更新。「論理回路セルとSRAMセルを縮小するフォークシート構造」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第10回となります。eetimes.itmedia.co.jp ナノシート構造とフォークシート構造で、同じ機能の論理回路セルとSRAMセルの大きさを比較…

コラム「デバイス通信」を更新。「フォークシート構造のCMOSロジック製造プロセス」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第9回となります。eetimes.itmedia.co.jp今回はpチャンネルとnチャンネルのトランジスタ対(ペア)を製造する工程(ステップ)を説明…