Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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コラム「ストレージ通信」を久々に更新。「HDD大手Seagateの6月期四半期業績」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を久しぶりに更新しました。

HDD大手2社が四半期業績を発表しました。その概要をご説明します。
今回はSeagate、次回がWestern Digital(WD)となる予定です。


eetimes.itmedia.co.jp


業績はかなり好調です。詳しくは記事をお読みくださいませ。

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(後編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第18回となります。


eetimes.itmedia.co.jp


前編はこちらです。

次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(前編):福田昭のデバイス通信(314) imecが語る3nm以降のCMOS技術(17) - EE Times Japan


シーケンシャルCFETではボトム側とトップ側で異なる材料をチャンネルに使える、ということの意味と試作例を説明しています。講演者のimecではなく、Intelの研究開発成果です。

研究成果は2件あります。1件はGeチャンネルとSiチャンネルのCFET、もう1件はGaNチャンネルとSiチャンネルのCFETです。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(前編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第17回となります。

eetimes.itmedia.co.jp


シーケンシャルCFETはウエハーの貼り合わせで製造します。
このことは、nチャンネルとpチャンネルで別の半導体材料を使えるということを意味します。
そこでpチャンネルのキャリア(正孔)が高速で動くゲルマニウム(Ge)、
nチャンネルのキャリア(伝導電子)が高速で動く窒化ガリウム(GaN)などがCFETの候補となります。

詳しくは記事をご参照くださいませ。


新コラム「製造業異聞録」を「ビジネス+IT」で開始。「日本の半導体が1980年代に興隆した最大の理由は「運が良かった」から」

「ビジネス+IT」誌様から新コラムを受託しました。「製造業異聞録」です。

www.sbbit.jp


今だから公表できる事実や、あまり知られていない事実を掘り起こすコラムとなります。
掲載頻度は、月に1回くらいを予定しています。


そして初回は、あの「日本の半導体が繁栄したのは運が良かっただけではないか」疑惑に迫ります。
結果としては戦前と戦後の世界史を掘り起こす作業となり、完成までに膨大な時間がかかりました。
シナリオは3回くらい、作り直しています。


それはともかく。お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。


1985年11月に出版されたドキュメント。日本の半導体産業がとっても元気だったころの雰囲気がわかります。