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PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ（IMW）」のレポート第2報です。
高密度の埋め込みフラッシュ技術の発表を紹介しています。1つは28nmのHKMG CMOSロジック互換の埋め込みフラッシュ。Samsungが発表しました。20Mbitのマクロを試作しています。自動車用半導体の信頼性グレード1に対応したことが特長です。
もう1つは22nm FD-SOI CMOSロジック互換の単層多結晶シリコン埋め込みフラッシュ。GLOBALFOUNDRIES（GF）が発表しました。こちらはOTPメモリ/MTPメモリを高密度化することが狙いのようです。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第7回となります。
FinFET（フィンフェット）の次はナノワイヤ構造、あるいはナノシート構造のチャンネルを備えたトランジスタが候補でした。最近ではナノワイヤよりもナノシートが有利だとの意見が主流となっています。
さらにimecは、ナノシート構造でも微細化には課題があるとしてフォークシート構造を提案して試作してきました。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第6回となります。
フィンフェット（FinFET）の微細化は限界に来ると言われ続けてCMOSロジックは5nm世代もFinFETで量産開始。
3nm以降の世代に向け、まずはナノシート構造が候補となります。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ（IMW）」のレポート初号です。
次世代不揮発性メモリで大きな講演が2つありました。
1つは、富士通グループが米国のベンチャー企業Nanteroと共同開発してきたカーボンナノチューブメモリ（NRAM）の試作発表です。55nmのCMOS技術で16Mbitのメモリチップを製造し、全ビットの動作を確認しました。当初の計画から3年以上の遅れが出ています。これが開発終了の発表なのか、商品化に向けての発表なのか。予断を許しません。
もう1つは、ソニーグループがドイツの研究開発機関と共同開発してきた強誘電体不揮発性メモリ（FeRAM）の最新状況です（招待講演）。64Kbitのシリコンダイを試作し、全ビットの動作を確認しています。元々ドイツの研究機関が新材料のハフニウム酸化物強誘電体を発見し、研究を継続してきました。CMOSイメージセンサーなどのバッファメモリに低消費電力メモリを必要とする、ソニーの要望と合致した共同開発のように見えます。製造技術が130nmのCMOSで記憶容量が64Kbitというのは明らかにテストチップで、まだ先がありそう。55nm/40nm/28nm技術で128Mbitクラスのメモリを作って欲しいところです。
