Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IMW2021レポート、SamsungとGFが高密度の埋め込みフラッシュ技術を開発」

PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

pc.watch.impress.co.jp

半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ(IMW)」のレポート第2報です。

高密度の埋め込みフラッシュ技術の発表を紹介しています。1つは28nmのHKMG CMOSロジック互換の埋め込みフラッシュ。Samsungが発表しました。20Mbitのマクロを試作しています。自動車用半導体の信頼性グレード1に対応したことが特長です。

もう1つは22nm FD-SOI CMOSロジック互換の単層多結晶シリコン埋め込みフラッシュ。GLOBALFOUNDRIES(GF)が発表しました。こちらはOTPメモリ/MTPメモリを高密度化することが狙いのようです。

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