PC Watch誌から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
半導体メモリの国際学会「国際メモリワークショップ（IMW）」のレポート第2報です。
高密度の埋め込みフラッシュ技術の発表を紹介しています。1つは28nmのHKMG CMOSロジック互換の埋め込みフラッシュ。Samsungが発表しました。20Mbitのマクロを試作しています。自動車用半導体の信頼性グレード1に対応したことが特長です。
もう1つは22nm FD-SOI CMOSロジック互換の単層多結晶シリコン埋め込みフラッシュ。GLOBALFOUNDRIES（GF）が発表しました。こちらはOTPメモリ/MTPメモリを高密度化することが狙いのようです。
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