コラム「ストレージ通信」を更新。「高アスペクト比の細長い孔をハードマスクで形成」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

eetimes.jp

高アスペクト比の細長い孔をハードマスクによって形成 - EE Times Japan

3D NANDフラッシュメモリの製造で重要なキープロセスの1つ。
もはや細かすぎてタイトルだけだと、なんのことか分かりません（爆）。

メモリスルーホールやコンタクト、スリットなどの細長い孔を開けるプロセスのことを言っております。
アスペクト比（縦横比）がものすごく大きくて、孔が深い。マスクもレジストではもたない。そこでハードマスクという。

詳しくは本文をご参照くださいませ。