EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「強誘電体メモリの再発見（13）：新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の発見」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/17/news020.html
二酸化ハフニウムは元々、高い誘電率を持つ材料として知られていました。ただし、強誘電性を備えているとは考えられていませんでした。これが発見されたのは2011年のことなのですが、2011年は公式に発表した年で、その前の数年にいろいろとあったりしています。公にはしていなかったという意味で。
発見のきっかけとなったのが、二酸化ハフニウムにシリコンを添加したら、高い誘電性を示すようになったという2006年の学術論文でした。東京大学の鳥海教授らによる研究成果です。これが後から、強誘電性によるものだったと分かります。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
