Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新しました。新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の兆候は日本人が発見

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


強誘電体メモリの再発見(13):新材料「二酸化ハフニウム」における強誘電性の発見」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/17/news020.html


二酸化ハフニウムは元々、高い誘電率を持つ材料として知られていました。ただし、強誘電性を備えているとは考えられていませんでした。これが発見されたのは2011年のことなのですが、2011年は公式に発表した年で、その前の数年にいろいろとあったりしています。公にはしていなかったという意味で。


発見のきっかけとなったのが、二酸化ハフニウムにシリコンを添加したら、高い誘電性を示すようになったという2006年の学術論文でした。東京大学の鳥海教授らによる研究成果です。これが後から、強誘電性によるものだったと分かります。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。