EETimes Japanで連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
「デバイス通信（90）：「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（imec編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1609/27/news037.html
7nm世代以降のリソグラフィ技術をimecが展望しています。Si FETが限界に達し、Si以外の半導体材料によるFETが限界に達し、MOS FET以外の原理によるトランジスタ（能動デバイス）が限界に達するまでにはまだしばらくかかりそうです。
