EETimes Japan誌の連載コラム「デバイス通信」を更新しました。「SEMICON West 2016」から、5nm世代のトランジスタ技術に関する講演です。
「デバイス通信（93）：「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術」
http://eetimes.jp/ee/articles/1610/14/news049.html
主にTCADシミュレーションによってトランジスタ構造の違いによる特性の変化を予測しています。5nm世代になるとFinFETが限界に近づき、マルチナノワイヤFETが代替案としてクローズアップされてきます。といってもナノワイヤFETは開発途上ですので、まだ先は長そうです。
