EETimes Japan誌に掲載していただいておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
「デバイス通信（92）：「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（Applied Materials編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1610/07/news021.html
内容は10nm世代から5nm世代までのトランジスタ技術で、リソグラフィ技術ではありませんでした。あちゃー。
肝心のトランジスタ技術ですが、FinFETで行けるのは、ぎりぎりで7nm世代になりそうです。5nm世代以降はいろいろとトリッキーなことになりそうで、量産可能かどうかはまだ分かりません。
