IEDM 2015プレビュー連載の第7回を追加、「高効率のGaN MOS-HEMT」、「不揮発性メモリセルをシナプスに使う」、「ギャップが5nmの電気機械リレー」など

EETimes Japan誌で連載しておりますIEDM 2015プレビューの第7回が掲載されました。

「IEDM 2015プレビュー（7）：不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用」
http://eetimes.jp/ee/articles/1511/17/news030.html

内容がますます難しくなり、作業に時間がかかっております。すみません（汗）。