Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

IRPS 2010レポートその3 1.5V動作の強誘電体不揮発性メモリ

IRPS2010レポート第3弾をPCWatch様に掲載していただきました。


「TIとRamtron、1.5Vの低い電圧で動く強誘電体メモリを共同で開発」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20100510_366086.html
メモリセル数は8M個です。記憶容量は4Mbit。2個のメモリセルで1bitを記憶する2T2C方式です。
強誘電体キャパシタの絶縁材料はPZT。1980年代後半の5V電源時代にPZTでは低電圧化は難しい/困難/ほぼ不可能といわれていました。
それが3.3Vになり(現在の製品は3.3V電源です)、そして1.5Vになるとは。やればできるものですね。
一方でなかなか厳しいのが1T1C化。まだまだ苦しいようです。