IEDMの記事がどんどん掲載されております。
ソニー、電子のスピンを利用した不揮発性磁気メモリを開発
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/12/07/iedm1/
65nm世代や45nm世代に向けた低消費電力CMOSの発表が相次ぐ
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/12/07/iedm3/
日立とルネサス、0.13μmCMOSロジックとの混載に適した相変化メモリセルを開発
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/12/08/iedm1/
2010年に向けたDRAM技術をInfineonとSamsungが展望
http://pcweb.mycom.co.jp/articles/2005/12/08/iedm2/
これで米国に着いてから合計6本。もう打止めかな・・・・ってアンタそろそろ、帰りの荷造りせんと（汗
