IBMが130nm技術によるSiGeバイポーラCMOSの半導体ファウンドリサービスを始めると発表しました。こちらに記事を執筆させていただきました。
http://pcweb.mycom.co.jp/news/2005/08/09/004.html
IBMは1980年代にはすでに、SiGeバイポーラの開発成果をIEEE学会の論文などで発表していました。そのころから、バイポーラCMOS用途であることを明らかにしています。高速・高周波向けの化合物半導体でもGaAsではなく、CMOSと混載しやすいSiGeを選んだところに先見の明があったと感じます。
