EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM（前編） (1/2) - EE Times Japan
40Mビットの埋め込みMRAMマクロを2xnm技術で試作した結果です。
前編となります。読み出しと書き込みの速度について測定した結果です。
温度条件を高温、室温、低温と変えております。
お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。
コラム「セミコン業界最前線」を更新しました。「フラッシュマイコン開発物語（日立）」
PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
【福田昭のセミコン業界最前線】日立の半導体部門とフラッシュメモリが起こしたマイコン革命 - PC Watch
マイコン（マイクロコンピュータあるいはマイクロコンピュータ）に革命をもたらした、フラッシュマイコン（フラッシュメモリ内蔵マイコン）に至る開発の軌跡を解説しております。
革命の立役者は日立製作所の半導体部門。現在の国内最大手マイコンベンダー、ルネサス エレクトロニクスの前身となる事業部門の1つです。
マイコンはそもそも、メモリや周辺回路などは外付けでした。
それがメモリ（ROMとRAM）と周辺回路を内蔵する「ワンチップマイコン」になったのが1980年ころです。
ROMはマスクROMでした。マスクROMの納期は3カ月ほど。ユーザーは恐ろしく待たされました。
マイコンのソフトウェア開発にはUV-EPROMマイコン（あるいは単体のUV-EPROM）が使われました。
この時代に革命を起こしたのが、日立製作所です。今ではOTPマイコンと呼ばれる。ユーザーの手元で電気的に書き込み可能で単価が安いマイコンです。日立の製品名は「ZTATマイコン」。納期ゼロのマイコンという意味です。
それがあえなく潰えてしまう。CPUライセンス元のモトローラによる不可解なつぶしがありました。
そこから独自アーキテクチャCPUのマイコン開発が始まります。
そしてフラッシュメモリ（スタンドアロン）の発明と商品化、そして大容量化。
いち早く、フラッシュメモリ内蔵マイコンを商品化したのも日立でした。製品名は「F-ZTATマイコン」。
製品名にはZTATマイコンのリベンジ（厳密には「ペイバック」と言いますが、記事中ではわざと「リベンジ」としています）の意味が込められています。
詳しくは記事をお読み頂けると、とてもありがたいです。
ルネサスエレクトロニクス(RENESAS) Starter Kit for RL78/G14 R0K50104PS000BE
- 出版社/メーカー: ルネサスエレクトロニクス
- メディア: エレクトロニクス
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国産マイコンボードGR‐SAKURAではじめる電子工作 (I・O BOOKS)
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コラム「デバイス通信」を続けて更新。光変調器の試作例「電界吸収変調器（EA変調器）とまとめ」（後編）
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。
光変調器の試作例（電界吸収（EA）変調器）とまとめ（後編） (1/2) - EE Times Japan
電界吸収変調器の試作品の実測性能（静特性と動特性）、それから3種類の光変調器の性能まとめです。
前後編です。後編ということで、続けて更新しております。
お手すきのときでも、眺めていただけるとうれしいです。
コラム「デバイス通信」を更新。光変調器の試作例の続き「電界吸収変調器（EA変調器）」
EETimes Japam様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリコンフォトニクスに関するシリーズの第13回です。
光変調器の試作例（電界吸収（EA）変調器）とまとめ（前編） (1/2) - EE Times Japan
前回に続いて光変調器の試作例をご報告しております。今回は電界吸収変調器（EA変調器）です。
電界吸収層にはシリコンではなく、シリコンとゲルマニウムの化合物（SiGe）を使います。
光波長が1550nmなので、シリコンだとバンドギャップが広すぎて光を吸収しません。
そこでバンドギャップが狭いゲルマニウムをシリコンと混ぜ、バンドギャップを調整しています。
詳しくは、記事をお読みいただけるとうれしいです。
