Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件とは

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


「誘電体メモリの再発見(14):新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/22/news028.html


二酸化ハフニウムは非常に面白い材料で、高誘電体、強誘電体、反強誘電体の3種類の誘電体が存在します。それぞれは、結晶構造の違いに由来すると考えられています。


しかも、不純物元素のドーピングと、二酸化ジルコニウムとの混晶の2つの手段でこれら3種類の誘電特性を実現できるという。


詳しくは、記事を読んでいただけるとうれしいです。