EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「誘電体メモリの再発見（14）：新材料「二酸化ハフニウム」が強誘電体になる条件」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/22/news028.html
二酸化ハフニウムは非常に面白い材料で、高誘電体、強誘電体、反強誘電体の3種類の誘電体が存在します。それぞれは、結晶構造の違いに由来すると考えられています。
しかも、不純物元素のドーピングと、二酸化ジルコニウムとの混晶の2つの手段でこれら3種類の誘電特性を実現できるという。
詳しくは、記事を読んでいただけるとうれしいです。
