PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
半導体市場の成長に急ブレーキがかかった状況を解説しております。
2年連続の2桁成長のあと、今年はマイナス成長が確実視されています。
それも半導体メモリだけが、大きなマイナスとなって足を引っ張る状況です。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
ちなみに「高転び」を使ったのは、某作品の影響です（苦笑）。
コラム「ストレージ通信」を更新。「新シリーズ第2回：NANDフラッシュメモリのスケーリング」
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
半導体メモリ技術の動向を解説するシリーズの第2回です。
NANDフラッシュメモリのスケーリング（微細化および高密度化）に関する解説です。
NANDフラッシュメモリは記憶密度の向上を当初は微細化、すなわち加工寸法を短く細くすることによって実現してきました。
微細化の行き詰まりから、パラダイムシフトが起こります。
メモリセルの連なりを水平方向から、垂直方向へと転換したのです。
この3D NAND技術により、NANDフラッシュメモリは微細化に頼らずに、記憶密度の向上を進めることとなります。
詳しくは記事をお読みいただければ幸いです。
コラム「デバイス通信」を更新。「インテルが始まったころ」第16回、「1976年の業績概要」
EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
創業期のIntelを公式文書である年次報告書から1年ずつ振り返るシリーズ。
その第16回です。創業9年目の1976年です。
1976年の最初は業績概要の報告となっております。
前年の1975年は成長にブレーキがかかりました。
でもブレーキがかかったのはわずかな期間だけ。
1976年はアクセルを踏みっぱなしです。
売り上げと利益がともに過去最高を更新しました。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
Intelの創業9年目（1976年）：景気回復を追い風に収入と利益は過去最高を更新 (1/2) - EE Times Japan
コラム「セミコン業界最前線」を更新。「3D NANDフラッシュメモリの開発動向をISSCCから解説」
PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
2月後半に開催された国際学会ISSCCなどから、3D NANDフラッシュメモリの開発動向を解説しております。
ISSCCで目立っていたのは東芝-WD連合の発表でした。2種類の3D NANDフラッシュメモリを発表して気を吐いておりました。
1件の開発成果は、1.33Tbit/ダイと過去最大の記憶容量を更新したチップ。
もう1件の開発成果は、ワード線の積層数を過去最多の128層に増やしたチップです。
一方でNANDフラッシュメモリ最大手のSamsungは「第6世代（V6）」の3D NANDフラッシュメモリ技術を発表したのですが。
この内容がかなり抽象的で、戸惑いました。昨年のフラッシュメモリサミットへの不参加といい、最近のSamsungによるNANDフラッシュメモリへのスタンスはちょっと変です。
詳しくは記事をお読みくださいませ。筆者が喜びます。
